Установка НИКА-3 для роста кристаллов из расплава
Многофункциональная установка НИКА-3 предназначена для выращивания широкой гаммы тугоплавких оксидных монокристаллов способами Чохральского и Степанова, таких как сапфир, алюмоиттриевый гранат, танталат лития, ниобат лития, молибдат гадолиния, лангасит, ванадаты редкоземельных металлов, силикат и германат висмута и многих других.
Исходные технические характеристики установки НИКА:
- Температура плавления до 2200 °С;
- Диаметр тигля для расплава до 150 мм;
- Масса кристалла до 5 (10) кг;
- Диапазон датчика веса до 5 (10) кг;
- Чувствительность датчика не менее 0,02 (0,04) г;
- Рабочий ход верхнего штока 550 мм;
- Скорость перемещения верхнего штока рабочая от 0,1 до 120,0 мм/ч ускоренная от 0,5 до 150,0 мм/мин;
- Скорость вращения 1-100 об/мин;
- Тип преобразователя транзисторный (IGBT). Выходная мощность преобразователя 100 кВт;
- Частота 5-20 кГц. Диапазон выходной. мощности от 1 до 100 %. КПД не ниже 93% Допустимое отклонение выходной мощности ± 0,05%;
- Давление инертного газа в камере не более 1,5х105Па;
- Предельный форвакуум не более 2,6 Па.