Установка НИКА-3 для роста кристаллов из расплава

Многофункциональная установка НИКА-3 предназначена для выращивания широкой гаммы тугоплавких оксидных монокристаллов способами Чохральского и Степанова, таких как сапфир, алюмоиттриевый гранат, танталат лития, ниобат лития, молибдат гадолиния, лангасит, ванадаты редкоземельных металлов, силикат и германат висмута и многих других.

Исходные технические характеристики установки НИКА:

  • Температура плавления до 2200 °С;
  • Диаметр тигля для расплава до 150 мм;
  • Масса кристалла до 5 (10) кг;
  • Диапазон датчика веса до 5 (10) кг;
  • Чувствительность датчика не менее 0,02 (0,04) г;
  • Рабочий ход верхнего штока 550 мм;
  • Скорость перемещения верхнего штока рабочая от 0,1 до 120,0 мм/ч ускоренная от 0,5 до 150,0 мм/мин;
  • Скорость вращения 1-100 об/мин;
  • Тип преобразователя транзисторный (IGBT). Выходная мощность преобразователя 100 кВт;
  • Частота 5-20 кГц. Диапазон выходной. мощности от 1 до 100 %. КПД не ниже 93% Допустимое отклонение выходной мощности ± 0,05%;
  • Давление инертного газа в камере не более 1,5х105Па;
  • Предельный форвакуум не более 2,6 Па.