Установка молекулярно-пучковой эпитаксии MBE49 фирмы RIBER
Установка RIBER MBE49 предназначена для выращивания полупроводниковых структур на основе материалов A3B5 c In, Ga, Al, As, P составляющими кристаллической матрицы на подложках 2, 3 и 4 дюйма. Для получения потоков элементов V группы она укомплектована крекерами As стандартной конструкции и P с двумя раздельными объёмами под белый и красный фосфор. Для металлов III группы используются эффузионные источники двузонного нагрева со специальными тиглями, обеспечивающими высокую стабильность потока испаряемых материалов в течении длительного срока работы. Легирование выращиваемых материалов обеспечивается однозонными источниками Si с малой тепловой инерцией и газофазным источником углерода использующего в качестве материала CBr4. Потоки элементов III группы калибруются по показаниям ионизационного вакуумметра, который находится в эпитаксиальном реакторе. Для проведения калибровки вакуумметр перемещается в зону проведения эпитаксии и затем убирается в начальное положение. Необходимые потоки мышьяка и фосфора отслеживаются по показаниям давления вакуумметра Байярда-Альперта ростовой камеры.