Проект сотрудников Международного научного центра функциональных материалов оптоэлектроники получил поддержку Российского научного фонда



Руководитель: Андрей Смирнов

Ответственный исполнитель: Арина Кремлёва

 

В проекте «Физический базис для создания приборов силовой электроники на основе широкозонного полупроводника Ga2O3» планируется получить объёмные кристаллы оксида галлия Ga2O3 высокого приборного качества наиболее дешевым и простым методом – хлорид-гидридной газофазной эпитаксией. Будут проведены теоретические и структурные исследования, сопутствующие экспериментальному росту кристаллов оксида галлия, с целью снижения плотности дефектов и повышения кристаллического качества получаемых образцов. Для демонстрации возможности применения оксида галлия в качестве материала для приборов силовой электроники будет создан экспериментальный образец диода Шоттки на основе выращенных кристаллов и предварительно разработанной компьютерной модели.