International School on Physics and Technology of Nitride Compound



Международная школа, организованная Физико-техническим институтом имени А.Ф. Иоффе, посвящена технологиям изготовления и фундаментальным свойствам современных широкозонных полупроводниковых материалов и гетероструктур на их основе.
В течение двух дней ведущие зарубежные эксперты из США, Германии, Франции и России выступят с 50-минутными лекциями. Все докладчики неоднократно представляли свои результаты в виде приглашенных или пленарных докладов на престижных международных и отечественных конференциях.
Приглашаются студенты, аспиранты и молодые ученые из Санкт-Петербургских университетов и исследовательских институтов. Регистрационный взнос не взимается.

Scientific Program of the School

Sunday, September 8, Congress Hall
Hotel “Holiday Inn St. Petersburg Moskovskye Vorota”, St.Petersburg, Russia


12:00 – 17:00
Registration

13:45 – 14:00
Opening remarks and greetings 
Sergey Ivanov, Ioffe Institute, Russia 
Organization Committee Chair, Director of Ioffe Institute

14.00 - 14.50
Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy of Wide Bandgap AlGaN 
Valentin Jmerik, Ioffe Institute, Russia

14.50 - 15.40
Gallium Oxide: recent advances in material technology and UV applications 
Sergei Stepanov, Ioffe Institute, Russia

Coffee-break

16.10 - 17.00
MOVPE of III-N Heterostructures: Effect of Reactor Geometry on the Epitaxial Process 
Wsevolod Lundin, Ioffe Institute, Russia

17.00 - 17.50
Novel designs of DUV LEDs: ideas and experiments 
Debdeep Jena, Cornell University, USA

Monday, September 9, Congress Hall
Hotel “Holiday Inn St. Petersburg Moskovskye Vorota”, St.Petersburg, Russia


09.00 – 16.00
Registration

12:00 – 17:00
Characterization of Point Defects in Semiconductors 
Chris G. Van de Walle, University of California, Santa Barbara, USA

Coffee-break

11.10 - 12.00
Optoelectronics properties of hexagonal boron nitride 
Guillaume Cassabois, University Montpellier II, France

12.00 - 12.50
High-resolution structural and optical studies of AlGaN nanostructures 
Jurgen Christen, University of Magdeburg, Germany

Lunch

14.00 - 14.50
2D confined excitons for room-temperature UV light emission
Alexey Toropov, Ioffe Institute, Russia

14.50 - 15.40
AlGaN materials for UV emission and some of their limitations 
Jean-Yves Duboz, Universite Cote d’Azur, CRHEA-CNRS, France

Coffee-break

16.10 - 17.00
Molecular beam epitaxy of III-nitride materials: from layers to quantum dots and nanowires by 
playing with growth conditions 
Bruno Daudin, Universite Grenoble Alpes & CEA-CNRS, France

17.00 - 17.15
Closing Remarks

Подробная информация о мероприятии доступна по ссылке.