Сотрудник подразделения

Владислав Евгеньевич Бугров

доцент, доктор физико-математических наук

Университет ИТМО

Владислав Евгеньевич Бугров, доктор физ.-мат. наук, лауреат премии Правительства РФ в области науки и техники 2012 года, директор мегафакультета фотоники Университета ИТМО, профессор факультета лазерной фотоники и оптоэлектроники.

В 1996 г. с отличием окончил кафедру оптоэлектроники (под руководством Нобелевского лауреата Ж.И. Алферова) Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета имени В.И. Ульянова (Ленина) по специальности «Оптические приборы и системы». За время обучения более 10 раз становился лауреатом российских и международных премий. В 1999 г. в ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН защитил диссертацию на тему «Теоретическое исследование оптических свойств полупроводниковых лазерных структур на основе нитридов металлов III группы»; присуждена ученая степень кандидата физико-математических наук. В 2013 г. также в ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН защитил диссертацию на тему «Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах»; присуждена ученая степень доктора физико-математических наук. В 2013 г. стал лауреатом премии Правительства РФ в области науки и техники за 2012 год. В 2015 г. присвоено ученое звание доцента.

Трудовой путь

С 1994 по 2004 гг. занимался развитием технологии получения светодиодных приборов на основе нитридов металлов III группы в лидирующих мировых светодиодных компаниях Cree (США), TDI (США) и Arima Optoelectronics (Тайвань). В 2004 г. стал одним из основателей компании Оптоган. Трудовой путь в рамках организации длился до 2014 г., в течение этого времени В.Е. Бугров занимал различные должности, в том числе с 2009 по 2013 гг. был генеральным директором производственного подразделения – завода компании в Санкт-Петербурге. С 2011 по 2014 гг. заведующий базовой кафедрой светодиодных технологий Университета ИТМО. С 2014 г. по настоящее время основное место работы – Университет ИТМО.

Педагогическая деятельность

Руководит магистерской образовательной программой «Светодиодные технологии» в Университете ИТМО. Руководит аспирантами и магистрантами. Читает дисциплины профессионального цикла подготовки: «Оптоэлектроника светодиодов», «Элементы теории твердого тела и кристаллографии».

Входит в состав федерального учебно-методического объединения вузов по укрупненной группе специальностей и направлений подготовки в системе высшего образования 12.00.00 Фотоника, приборостроение, оптические, биотехнические системы и технологии. Руководитель направления подготовки «Оптотехника» (бакалавриат, магистратура).

Научная деятельность

Главные направления научных исследований включают в себя комплексное улучшение свойств нитридных полупроводниковых гетероструктур и приборов, созданных на их основе, моделирование и оптимизацию структурных свойств светодиодных материалов и светодиодных устройств, а также других приборов современных оптоэлектроники и радиофотоники. Научные интересы включают в себя также изучение современных материалов с уникальными оптическими и тепловыми свойствами, композитные материалы, наноструктуры на основе углерода, прозрачные оксиды, подложки на основе монокристаллов оксида галлия.

Является автором более XX опубликованных научных работ, 30 международных и 6 российских полученных патентов, а также около 100 патентных заявок. Был руководителем нескольких международных научных проектов, в частности, с фондом Tekes. Руководил и участвовал в исполнении целого ряда грантов РФФИ, РНФ, госконтрактов Минобрнауки РФ.

Общественная деятельность

С 2013 г. член экспертной группы Научно-координационного совета ФЦП "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технического комплекса России на 2014-2020 годы" по приоритетному направлению "Индустрия наносистем". С 2014 г. член рабочей группы научно-технического совета Военно-промышленной комиссии при Правительстве Российской Федерации по проблемным вопросам развития радиофотоники. С 2017 г. председатель диссертационного совета Д 212.227.01. Член Ученого совета и президиума Ученого совета Университета ИТМО.

Публикации

  1. 79Липницкая С.Н., Романов А.Е., Бугров В.Е., Бауман Д.А. Расчет и оптимизация оптической системы ввода излучения в одномодовое оптическое волокно // Оптический журнал - 2019. - Т. 86. - № 5. - С. 17-22
    подробнее >>
  2. 78Aladov A.V., Bugrov V.E., Chernyakov A.E., Ustinov V.M., Zakgeim A.L. Dynamic thermal analysis of "vertical" and "faceup" high-power AlGaInN LEDs at Pulse Operation // Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018 - 2018, pp. 162
    подробнее >>
  3. 77Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bougrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y. Room Temperature Lasing of Multi-Stage Quantum-Cascade Lasers at 8 mu m Wavelength // Semiconductors - 2018, Vol. 52, No. 8, pp. 1082-1085 [IF: 0.602, SJR: 0.308]
    подробнее >>
  4. 76Buyalo M.S., Gadzhiyev I.M., Il'Inskaya N.D., Usikova A.A., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Egorov A.Y., Portnoi E.L. Mode-Locked Lasers with “Thin” Quantum Wells in 1.55 mu m Spectral Range // Technical Physics Letters - 2018, Vol. 44, No. 2, pp. 174-177 [IF: 0.771, SJR: 0.396]
    подробнее >>
  5. 75Dudelev V.V., Akhmatkhanov A.R., Greshnyakov E.D., Abdulrazak S.H., Bugrov V.E., Kognovitskaya E.A., Kuchinskii V.I., Shur V.Y., Sokolovskii G.S. Generation of the second harmonic in ridge waveguides formed in periodically poled lithium niobate // Quantum Electronics - 2018, Vol. 48, No. 8, pp. 717-719 [IF: 1.119, SJR: 0.453]
    подробнее >>
  6. 74Dudelev V.V., Akhmatkhanov A.R., Soboleva K.K., Abdulrazak S.H., Bougrov V.E., Shur V.Y., Sokolovskii G.S. Second harmonic generation in a PPLN high-contrast ridge waveguide // Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018 - 2018, pp. 177
    подробнее >>
  7. 73Dudelev V.V., Fedorova K.A., Chistyakov D.V., Soboleva K.K., Bougrov V.E., Rafailov E., Sokolovskii G.S. Second harmonic generation with a fractional order of periodical poling // Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018 - 2018, pp. 175
    подробнее >>
  8. 72Kotova E.I., Romanova G.E., Tsyganok E.A., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E. Efficiency analysis of optical schemes for the development of high power laser diode modules // Proceedings of SPIE - 2018, Vol. 10695, pp. 106950T [SJR: 0.238]
    подробнее >>
  9. 71Losev S.N., Abdulrazak S.H., Chistyakov D.V., Mylnikov V.Y., Dudelev V.V., Zadiranov Y.M., Deryagin N.G., Bougrov V.E., Sokolovskii G.S. Generation of 'Droplet' beams with laser diodes // Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018 - 2018, pp. 181
    подробнее >>
  10. 70Pavlov N.V., Zegrya G.G., Zegrya A.G., Bugrov V.E. Intraband Radiation Absorption by Holes in InAsSb/AlSb and InGaAsP/InP Quantum Wells // Semiconductors - 2018, Vol. 52, No. 2, pp. 195-208 [IF: 0.602, SJR: 0.308]
    подробнее >>
  11. 69Savchenko G.M., Soboleva K.K., Chistyakov D.V., Bougrov V.E., Averkiev N.S., Sokolovskii G.S. Metamaterial for difference frequency generation in THz range // Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018 - 2018, pp. 157
    подробнее >>
  12. 68Shirshnev P.S., Romanov A.E., Bougrov V.E., Shirshneva-Vaschenko E.V., Snezhnaia Z.G. Potassium-alumina-boron glass doped with copper ions for solar cell down-convertors // Proceedings of SPIE - 2018, Vol. 10688, pp. 106881D-1 [SJR: 0.238]
    подробнее >>
  13. 67Shirshneva-Vaschenko E.V., Liashenko T.G., Shirshnev P.S., Bugrov V.E., Romanov A.E. Photoactive n-type oxide AZO-AgNP-AZO multilayer films for photovoltaic application // Journal of Physics: Conference Series - 2018, Vol. 933, No. 1, pp. 012032 [SJR: 0.221]
    подробнее >>
  14. 66Sokolovskii G.S., Melissinaki V., Fedorova K.A., Dudelev V.V., Losev S.N., Bougrov V.E., Sibbett W., Farsari M., Rafailov E.U. 3D laser nano-printing on fibre paves the way for super-focusing of multimode laser radiation // Scientific Reports - 2018, Vol. 8, pp. 14618 [IF: 4.259, SJR: 1.414]
    подробнее >>
  15. 65Буяло М.С., Гаджиев И.М., Ильинская Н.Д., Усикова А.А., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Егоров А.Ю., Портной Е.Л. Синхронизация мод в лазерах спектрального диапазона 1.55 mum на основе "тонких" квантовых ям // Письма в Журнал технической физики - 2018. - Т. 44. - № 4. - С. 95-102 [IF: 0.599]
    подробнее >>
  16. 64Babichev A.V., Gladyshev A.G., Filimonov A.V., Nevedomskii V.M., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bugrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y. Heterostructures for quantum-cascade lasers of the wavelength range of 7–8 mum // Technical Physics Letters - 2017, Vol. 43, No. 7, pp. 666-669 [IF: 0.771, SJR: 0.396]
    подробнее >>
  17. 63Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Babichev A.V., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Usikova A.A., Egorov A.Y., Bougrov V.E. 1550 nm mode-locked semiconductor lasers for all-optical analog-to-digital conversion // AIP Conference Proceedings - 2017, Vol. 1874, pp. 040019 [SJR: 0.182]
    подробнее >>
  18. 62Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Rochas S.S., Sharipo K.D., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Bougrov V.E. Study of antireflection coatings for high-speed 1.3 -1.55 um InGaAs/InP PIN photodetector // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2017, Vol. 32, No. 2, pp. 194-197 [SJR: 0.214]
    подробнее >>
  19. 61Kozyreva O.A., Solov'Ev V.V., Polukhin I.S., Mikhailov A.K., Mikhailovskiy G.A., Odnoblyudov M.A., Gareev E.Z., Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Bougrov V.E. High-speed 1.3 -1.55 um InGaAs/InP PIN photodetector for microwave photonics // Journal of Physics: Conference Series - 2017, Vol. 917, No. 5, pp. 052029 [SJR: 0.221]
    подробнее >>
  20. 60Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.L., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Romanov A.E. Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2017, Vol. 32, No. 2, pp. 178-185 [SJR: 0.214]
    подробнее >>
  21. 59Lyubopytov V.S., Chipouline A., Sokolovskii G.S., Averkiev N.S., Savchenko G., Zywietz U., Chichkov B., Monroy I.T., Bougrov V.E., Kueppers F. Demonstration of optical vortex propagation in on-chip rectangular dielectric waveguides // 2017 Conference on Lasers and Electro-Optics Europe & European Quantum Electronics Conference (CLEO/Europe-EQEC) - 2017, pp. 1
    подробнее >>
  22. 58Lyubopytov V.S., Chipouline A., Zywietz U., Chichkov B., Sokolovskii G.S., Averkiev N.S., Savchenko G.M., Bougrov V.E., Monroy I.T., Kuppers F. Optical vortex propagation in few-mode rectangular polymer waveguides // Opto-Electronics and Communications Conference (OECC 2017) and Photonics Global Conference (PGC 2017) - 2017, pp. 1-3
    подробнее >>
  23. 57Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Semakova A.A., Chernyaev A.V., Kizhaev S.S., Stoyanov N.D., Bougrov V.E., Lipsanen H.K., Salikhov K. Spontaneous and stimulated emission in InAsSb-based LED heterostructures // Infrared Physics and Technology - 2017, Vol. 85, pp. 246-250 [IF: 1.713, SJR: 0.508]
    подробнее >>
  24. 56Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Semakova A.A., Mikhailova M.P., Stoyanov N.D., Kizhaev S.S., Molchanov S.S., Astakhova A.P., Chernyaev A.V., Lipsanen H., Bougrov V.E. Electroluminescence of InAs/InAs(Sb)/InAsSbP LED heterostructures in the temperature range 4.2–300 K // Semiconductors - 2017, Vol. 51, No. 2, pp. 239-244 [IF: 0.602, SJR: 0.308]
    подробнее >>
  25. 55Nikolaev V.I., Maslov V.N., Stepanov S.I., Pechnikov A.I., Krymov V.M., Nikitina I.P., Guzilova L.I., Bougrov V.E., Romanov A.E. Growth and characterization of beta-Ga2O3 crystals // Journal of Crystal Growth - 2017, Vol. 457, pp. 132–136 [IF: 1.462, SJR: 0.515]
    подробнее >>
  26. 54Novikov I.I., Babichev A.V., Bugrov V.E., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Savelyev A.V., Sokolovskii G.S., Egorov A.Y. The concept for realization of quantum-cascade lasers emitting at 7.5 Mum wavelength // Journal of Physics: Conference Series - 2017, Vol. 929, No. 1, pp. 012082 [SJR: 0.221]
    подробнее >>
  27. 53Shirshneva-Vaschenko E.V., Sokura L.A., Liashenko T.G., Podlesnov E., Bougrov V.E., Romanov A.E. Fabrication of p-type transparent oxide films with delafossite structure by sol-gel processing // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2017, Vol. 32, No. 3, pp. 288-292 [SJR: 0.214]
    подробнее >>
  28. 52Bakholdin A.V., Bougrov V.E., Voznesenskaya A.O., Ezhova K.V. Advanced interdisciplinary undergraduate program: light engineering // Proceedings of SPIE - 2016, Vol. 9946, pp. 994612 [SJR: 0.238]
    подробнее >>
  29. 51Egorov A.Y., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Nevedomskiy V.N., Bugrov V.E. Optical properties of metamorphic GaAs/InAlGaAs/InGaAs heterostructures with InAs/InGaAs quantum wells, emitting light in the 1250-1400-nm spectral range // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 5, pp. 612-615 [IF: 0.602, SJR: 0.308]
    подробнее >>
  30. 50Mynbaeva M.G., Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Sitnikova A.A., Pechnikov A.I., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Bugrov V.E., Lipsanen H., Romanov A.E. TEM study of defect structure of GaN epitaxial films grown on GaN/Al2O3 substrates with buried column pattern // Journal of Crystal Growth - 2016, Vol. 445, pp. 30-36 [IF: 1.462, SJR: 0.515]
    подробнее >>
  31. 49Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.I., Krymov V.M., Maslov V.N., Bougrov V.E., Romanov A.E. HVPE growth of GaN layers on cleaved beta-Ga2O3 substrates // Key Engineering Materials (Book Series) - 2016, Vol. 674, pp. 302-307
    подробнее >>
  32. 48Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.I., Nikitina I.P., Smirnov A.N., Chikiryaka A.V., Sharofidinov S.S., Bougrov V.E., Romanov A.E. Epitaxial growth of (2-01) Beta-Ga2O3 on (0001) sapphire substrates by halide vapour phase epitaxy // Materials Science in Semiconductor Processing - 2016, Vol. 47, pp. 16-19 [IF: 2.264, SJR: 0.633]
    подробнее >>
  33. 47Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.I., Sharofidinov S.S., Golovatenko A.A., Nikitina I.P., Smirnov A.N., Bugrov V.E., Romanov A.E., Brunkov P.N., Kirilenko D.A. Chloride epitaxy of beta-Ga2O3 layers grown on c-sapphire substrates // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 7, pp. 980-983 [IF: 0.602, SJR: 0.308]
    подробнее >>
  34. 46Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Zadiranov Y.M., Usikova A.A., Shernyakov Y.M., Savelyev A.V., Nyapshaev I.A., Egorov A.Y. On the gain properties of “thin” elastically strained InGaAs/InGaAlAs quantum wells emitting in the near-infrared spectral region near 1550 nm // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 10, pp. 1412–1415 [IF: 0.602, SJR: 0.308]
    подробнее >>
  35. 45Polukhin I.S., Mikhailovskiy G.A., Rybalko D.A., Solov'Ev Y.V., Odnoblyudov M.A., Gubenko A.E., Livshits D.A., Firsov A.N., Kirsyaev A.N., Efremov A.A., Bougrov V.E. Simulation operation regimes of passive mode-locked laser based on ingaalas/ingaas/inp heterostructures // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2016, Vol. 27, No. 1, pp. 74-78 [SJR: 0.214]
    подробнее >>
  36. 44Polukhin I.S., Mikhailovskiy G.A., Rybalko D.A., Solov'Ev Y.V., Petukhov E.P., Odnoblyudov M.A., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Mikhailov A.K., Lipsanen H.K. Influence of absorber characteristics on operation regimes of passive mode locked lasers based on InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2016, Vol. 29, No. 1, pp. 71-75 [SJR: 0.214]
    подробнее >>
  37. 43Rybalko D.A., Polukhin I.S., Solov'Ev Y.V., Mikhailovskiy G.A., Odnoblyudov M.A., Gubenko A.E., Livshits D.A., Firsov A.N., Kirsyaev A.N., Efremov A.A., Bougrov V.E. Model of mode-locked quantum-well semiconductor laser based on InGaAs/InGaAlAs/InP heterostructure // Journal of Physics: Conference Series - 2016, Vol. 741, No. 1, pp. 012079 [SJR: 0.221]
    подробнее >>
  38. 42Sharofidinov S.S., Nikolaev V.I., Smirnov A.N., Chikiryaka A.V., Nikitina I.P., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Romanov A.E. On a reduction in cracking upon the growth of AlN on Si substrates by hydride vapor-phase epitaxy // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 4, pp. 541-544 [IF: 0.602, SJR: 0.308]
    подробнее >>
  39. 41Shirshneva-Vashchenko E.V., Sosnin I.M., Nuryev R.K., Gladskikh I.A., Liashenko T.G., Bougrov V.E., Romanov A.E. Electrical and optical properties of transparent conducting ZnO:Al/AgNP multilayer films // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2016, Vol. 29, No. 2, pp. 145-149 [SJR: 0.214]
    подробнее >>
  40. 40Smirnov A.M., Young E.C., Bougrov V.E., Speck J.S., Romanov A.E. Critical thickness for the formation of misfit dislocations originating from prismatic slip in semipolar and nonpolar III-nitride heterostructures // APL Materials - 2016, Vol. 4, No. 1, pp. 016105 [IF: 2.789, SJR: 1.53]
    подробнее >>
  41. 39Stepanov S.I., Nikolaev V.I., Bougrov V.E., Romanov A.E. Gallium Oxide: Properties and Applications - a Review // Reviews on Advanced Materials Science - 2016, Vol. 44, No. 1, pp. 63-86 [IF: 2.5, SJR: 0.535]
    подробнее >>
  42. 38Voznesenskaya A., Bougrov Vladislav ., Kozlov S., Vasilev V. ITMO Photonics: center of excellence // Proceedings of SPIE - 2016, Vol. 9946, pp. 99460V [SJR: 0.238]
    подробнее >>
  43. 37Егоров А.Ю., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Неведомский В.Н., Бугров В.Е. Оптические свойства метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250-1400 нм // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 5. - С. 624-627 [IF: 0.745]
    подробнее >>
  44. 36Жумашев Н.К., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Стоянов Н.Д., Кижаев С.С., Гурина Т.И., Астахова А.П., Черняев А.В., Молчанов С.С., Липсанен Х., Салихов Х.М., Бугров В.Е. Спектральные характеристики светодиодов среднего инфракрасного диапазона на основе InAs(Sb,P) // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики - 2016. - Т. 16. - № 1(101). - С. 76-84 [IF: 0.28]
    подробнее >>
  45. 35Николаев В.И., Печников А.И., Степанов С.И., Шарофидинов Ш.Ш., Головатенко А.А., Никитина И.П., Смирнов А.Н., Бугров В.Е., Романов А.Е., Брунков П.Н., Кириленко Д.А. Хлоридная эпитаксия слоев beta-Ga2O3 на сапфировых подложках базисной ориентации // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 7. - С. 997-1000 [IF: 0.745]
    подробнее >>
  46. 34Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Курочкин А.С., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Гаджиев И.М., Буяло М.С., Задиранов Ю.М., Усикова А.А., Шерняков Ю.М., Савельев А.В., Няпшаев И.А., Егоров А.Ю. Усилительные свойства «тонких» упругонапряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 10. - С. 1429-1433 [IF: 0.745]
    подробнее >>
  47. 33Шарофидинов Ш.Ш., Николаев В.И., Смирнов А.Н., Чикиряка А.В., Никитина И.П., Одноблюдов М.А., Бугров В.Е., Романов А.Е. Снижение трещинообразования при росте ALN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 4. - С. 549-552 [IF: 0.745]
    подробнее >>
  48. 32Artemiev D.M., Orlova T.S., Bougrov V.E., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E. Modeling of Threading Dislocation Density Reduction in Porous III-Nitride Layers // Journal of Electronic Materials - 2015, Vol. 44, No. 5, pp. 1287-1292 [IF: 1.579, SJR: 0.422]
    подробнее >>
  49. 31Egorov A.Y., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Nevedomsky V.M., Bugrov V.E. Design concepts of monolithic metamorphic vertical-cavity surface-emitting lasers for the 1300–1550 nm spectral range // Semiconductors - 2015, Vol. 49, No. 11, pp. 1522-1526 [IF: 0.602, SJR: 0.308]
    подробнее >>
  50. 30Maslov V.N., Nikolaev V.I., Krymov V.M., Bugrov V.E., Romanov A.E. Deposition of beta-Ga2O3 layers by sublimation on sapphire substrates of different orientations // Physics of the solid state - 2015, Vol. 57, No. 7, pp. 1342-1346 [IF: 0.86, SJR: 0.364]
    подробнее >>
  51. 29Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Maslov V.N., Golovatenko A.A., Krymov V.M., Stepanov S.I., Zhumashev N.K., Bougrov V.E., Romanov A.E. GaN growth on beta-Ga2O3 substrates by HVPE // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015, Vol. 22, No. 1, pp. 59-63 [SJR: 0.214]
    подробнее >>
  52. 28Romanov A.E., Kolesnikova A.N., Orlova T.S., Hussainova I., Bougrov V.E., Valiev R.Z. Non-equilibrium grain boundaries with excess energy in graphene // Carbon - 2015, Vol. 81, pp. 223-231 [IF: 6.337, SJR: 2.116]
    подробнее >>
  53. 27Shvaleva M.A., Shulga E., Kink I., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Romanov A.E. Na2SiO3 liquid glass-based phosphor material for white LEDs // Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science - 2015, Vol. 212, No. 12, pp. 2964-2967 [IF: 1.775, SJR: 0.545]
    подробнее >>
  54. 26Shvaleva M.A., Tuzova Y.V., Romanov A.E., Aseev V.A., Nikonorov N.V., Mynbaev K.D., Bugrov V.E. Optical and thermal properties of phosphors based on lead-silicate glass for high-power white LEDs // Technical Physics Letters - 2015, Vol. 41, No. 11, pp. 1041-1043 [IF: 0.771, SJR: 0.396]
    подробнее >>
  55. 25Егоров А.Ю., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Неведомский В.Н., Бугров В.Е. Концепции создания монолитных метаморфных вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300-1550 нм // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 11. - С. 1569-1573 [IF: 0.745]
    подробнее >>
  56. 24Маслов В.Н., Николаев В.И., Крымов В.М., Бугров В.Е., Романов А.Е. Осаждение слоев beta-Ga2O3 методом сублимации на сапфировые подложки различных ориентаций // Физика твердого тела - 2015. - Т. 57. - № 7. - С. 1315-1319 [IF: 0.875]
    подробнее >>
  57. 23Мынбаева М.Г., Печников А.И., Шарофидинов Ш.Ш., Бугров В.Е., Мынбаев К.Д., Степанов С.И., Одноблюдов М.А., Николаев В.И., Романов А.Е. Светоизлучающие p–n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3 [Light-Emitting P-N structures fabricated with hydride vapor-phase epitaxy on GaN/Al2O3 structured substrates] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015. - Т. 22. - № 1. - С. 30-38 [SJR: 0.214]
    подробнее >>
  58. 22Перетягин В.С., Подосинников А.И., Романова Г.Э., Щеглов С.А., Мынбаев К.Д., Липсанен Х., Бугров В.Е. Моделирование и исследование краевого эффекта при работе с трехкристальными RGB-светодиодами // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики - 2015. - Т. 15. - № 2(96). - С. 202-210 [IF: 0.28]
    подробнее >>
  59. 21Рожков М.А., Колодезный Е.С., Смирнов А.М., Бугров В.Е., Романов А.Е. Сравнение характеристик диодов Шоттки на основе бета-Ga2O3 и других широкозонных полупроводниковых материалов [Comparison of characteristics of schottky diodes based on бета-Ga2O3 and other wide bandgap semiconductors] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015. - Т. 24. - № 2. - С. 194-200 [SJR: 0.214]
    подробнее >>
  60. 20Шарофидинов Ш.Ш., Головатенко А.А., Никитина И.П., Середова Н.В., Мынбаева М.Г., Бугров В.Е., Одноблюдов М.А., Степанов С.И., Николаев В.И. Толстые эпитаксиальные слои нитрида галлия на кремниевой подложке [Thick GaN layers on silicon substrate] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015. - Т. 22. - № 1. - С. 53-58 [SJR: 0.214]
    подробнее >>
  61. 19Швалева М.А., Тузова Ю.В., Романов А.Е., Асеев В.А., Никоноров Н.В., Мынбаев К.Д., Бугров В.Е. Оптические и термические свойства люминофоров на основе свинцово-силикатного стекла для мощных белых светодиодов // Письма в Журнал технической физики - 2015. - Т. 41. - № 21. - С. 38-44 [IF: 0.599]
    подробнее >>
  62. 18Artemiev D.M., Orlova T.S., Bougrov V.E., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E. Reaction-kinetics model for threading dislocation density reduction in GaN porous layer // AIP Conference Proceedings - 2014, Vol. 1583, pp. 310-314 [SJR: 0.182]
    подробнее >>
  63. 17Kolodeznyi E.S., Ivukin I.N., Serebryakova V.S., Bougrov V.E., Romanov A.E. Thermal analysis of phosphor containing silicone layer in high power LEDs // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2014, Vol. 21, No. 3, pp. 283-287 [SJR: 0.214]
    подробнее >>
  64. 16Lipnitskaya S.N., Mynbaev K.D., Nikulina L., Kramnik V., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E. Investigation of light extraction from light emitting module chip-on-board // Optical Review - 2014, Vol. 21, No. 5, pp. 655-658 [IF: 0.6, SJR: 0.312]
    подробнее >>
  65. 15Nikolaev V.I., Golovatenko A.A., Mynbaeva M.G., Nikitina I.P., Seredova N.V., Pechnikov A.I., Bougrov V.E., Odnoblyudov M.A. Effect of nano-column properties on self-separation of thick GaN layers grown by HVPE // Physica Status Solidi (c) Current Topics in Solid State Physics - 2014, Vol. 11, No. 3-4, pp. 502-504 [SJR: 0.28]
    подробнее >>
  66. 14Romanov A.E., Kolesnikova A.L., Orlova T.S., Hussainova I., Bougrov V.E., Valiev R.Z. Non-equilibrium grain boundaries with exess energy in graphene Disclination modeling of grain boundaries in graphene // Acta Materialia - 2014 [IF: 5.058, SJR: 3.757]
  67. 13Shvaleva M.A., Nikulina L.A., Aseev V.A., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikonorov N.V., Romanov A.E. Ce3+: YAG Doped Glass-Ceramics For White Light-Emitting Diode // Optical Review - 2014, Vol. 21, No. 5, pp. 683-686 [IF: 0.6, SJR: 0.312]
    подробнее >>
  68. 12Асеев В.А., Тузова Ю.В., Бибик А.Ю., Колобкова Е.В., Некрасова Я.А., Никоноров Н.В., Швалева М.А., Романов А.Е., Бугров В.Е. Неорганический композит "стекло-люминофор" на основе высокопреломляющей свинцово-силикатной матрицы для белых светодиодов [Inorganic composite «phosphor in glass» based on highly refractive LED-silicate matrix for white LEDs] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2014. - Т. 21. - № 3. - С. 242-247 [SJR: 0.214]
    подробнее >>
  69. 11Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Никулина Л.А., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е. Исследование вывода света из светодиодного модуля "CHIP-ON-BOARD" // Ученые записки физического факультета МГУ - 2014. - № 2. - С. 142402(1-5)
    подробнее >>
  70. 10Фудин М.С., Мынбаев К.Д., Липсанен Х., Айфантис К., Бугров В.Е., Романов А.Е. Частотные характеристики современных светодиодных люминофорных материалов // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики - 2014. - № 6(94). - С. 71-76 [IF: 0.28]
    подробнее >>
  71. 9Artemiev D., Bougrov V.E., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E. Mechanical stress control in GaN films on sapphire substrate via patterned nanocolumn interlayer formation // Physica Status Solidi (c) Current Topics in Solid State Physics - 2013, Vol. 10, No. 1, pp. 89-92 [SJR: 0.28]
    подробнее >>
  72. 8Vinogradova K.A., Lipnitskaya S.N., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikolaev V.I., Romanov A.E. Оптимизация вывода света из мощных светодиодных сборок "чип на плате", излучающих в ультрафиолетовом диапазоне длин волн [Optimization of light extraction from power led chip-on-board modules emitting in ultraviolet range of spectrum] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2013, Vol. 17, No. 2, pp. 111-120 [SJR: 0.214]
    подробнее >>
  73. 7Vinogradova K.A., Nikulina L.A., Braslavskii S.S., Solovieva E.A., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Romanov A.E., Bugrov V.E. Temperature stability of colored LED elements // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2013, Vol. 18, No. 2, pp. 143–147 [SJR: 0.214]
  74. 6Vinogradova K.A., Nikulina L.A., Mynbaev K.D., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikolaev V.I., Bougrov V.E. Сравнение эффективности светодиодных излучателей на основе монохромных чипов и чипов с люминофором [Efficiency comparison of light emitting diodes based on monochromatic chips and chips with phosphor] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2013. - Т. 18. - № 2. - С. 135-142 [SJR: 0.214]
    подробнее >>
  75. 5Виноградова К.А., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Николаев В.И., Романов А.Е. Деградация белых и синих светодиодов при длительном времени работы // Известия высших учебных заведений. Приборостроение - 2013. - Т. 56. - № 11. - С. 87-91 [IF: 0.278]
    подробнее >>
  76. 4Ивукин И.Н., Белов А.Ю., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е. Оптимизация радиатора ретрофитной светодиодной лампы // Известия высших учебных заведений. Приборостроение - 2013. - Т. 56. - № 11. - С. 83-87 [IF: 0.278]
    подробнее >>
  77. 3Ивукин И.Н., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Шалковский А.Г., Романов А.Е. Моделирование теплообмена и оптимизация свойств материалов пластиковых радиаторов ретрофитных светодиодных ламп [Heat transfer simulation and retrofit led lamp plastic heat sink material optimization] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2013. - Т. 17. - № 2. - С. 178-182 [SJR: 0.214]
  78. 2Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е. Влияние светорассеяния в оптических покрытиях на потери энергии в светодиодных устройствах // Письма в Журнал технической физики - 2013. - Т. 39. - № 24. - С. 1-8 [IF: 0.599]
    подробнее >>
  79. 1Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Никулина Л.А., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е. Повышение эффективности вывода света из светодиодных модулей "CHIP-ON-BOARD" // Оптический журнал - 2013. - Т. 80. - № 12. - С. 45-52
    подробнее >>