Сотрудник подразделения

Карим Джафарович Мынбаев

доктор физико-математических наук

К.Д. Мынбаев в 1986 г. окончил базовую кафедру Оптоэлектроники Ленинградского электротехнического института («ЛЭТИ») им. В.И. Ульянова (Ленина) по специальности «Оптико-электронные приборы». В 1992 г. защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков. В 2007 г. защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по специальности "физика полупроводников". С 1985 г. работает в Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, где прошёл трудовой путь от лаборанта до заведующего лабораторией. С сентября   2012 г. — профессор базовой кафедры Светодиодных технологий Университета ИТМО, в настоящее время - профессор кафедры Световых технологий и оптоэлектроники.

Публикации

  1. 56Bonchyk O.Y., Savytskyy H., Swiatek Z., Morgiel Y., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D., Fitsych O.I., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Marin D.V., Yakushev M.V. Nano-size defects in arsenic-implanted HgCdTe films: a HRTEM study // Applied Nanoscience - 2019, Vol. 9, No. 5, pp. 725-730 [IF: 3.325]
    подробнее >>
  2. 55Izhnin I.I., Izhnin A.I., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A.V., Gorn D.I., Semakova A.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Zegrya G.G. Luminescence studies of HgCdTe- and InAsSb-based quantum-well structures // Applied Nanoscience - 2019, Vol. 9, No. 5, pp. 617-622 [IF: 3.325]
    подробнее >>
  3. 54Izhnin I.I., Fitsych E.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Bonchyk A.Y., Savytskyy H.V., Swiatek Z. Defects in Arsenic Implanted р+–n- and n+–p- Structures Based on MBE Grown CdHgTe Films // Russian Physics Journal - 2018, Vol. 60, No. 10, pp. 1752–1757 [IF: 0.644, SJR: 0.18]
    подробнее >>
  4. 53Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Marin D.V., Yakushev M.V. Photoluminescence of Molecular Beam Epitaxy-Grown Mercury Cadmium Telluride: Comparison of HgCdTe/GaAs and HgCdTe/Si Technologies // Journal of Electronic Materials - 2018, Vol. 47, No. 8, pp. 4731-4736 [IF: 1.579, SJR: 0.422]
    подробнее >>
  5. 52Semakova A.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D. Carrier lifetime in InAs(Ga,Sb,P) heterostructures // Journal of Physics: Conference Series - 2018, Vol. 1038, No. 1, pp. 012097 [SJR: 0.221]
    подробнее >>
  6. 51Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voytsekhovskiy A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Pociask-Bialy M. Ion etching of HgCdTe: Properties, patterns and use as a method for defect studies // Opto-electronics Review - 2017, Vol. 25, No. 2, pp. 148-170 [IF: 1.449, SJR: 0.355]
    подробнее >>
  7. 50Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Bonchyk O.Y., Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Yakushev M.V., Jakiela R., Trzyna M. Properties of arsenic-implanted Hg1-xCdxTe MBE films // EPJ Web of Conferences - 2017, Vol. 133, pp. UNSP 01001 [SJR: 0.182]
    подробнее >>
  8. 49Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Semakova A.A., Chernyaev A.V., Kizhaev S.S., Stoyanov N.D., Bougrov V.E., Lipsanen H.K., Salikhov K. Spontaneous and stimulated emission in InAsSb-based LED heterostructures // Infrared Physics and Technology - 2017, Vol. 85, pp. 246-250 [IF: 1.713, SJR: 0.508]
    подробнее >>
  9. 48Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Semakova A.A., Mikhailova M.P., Stoyanov N.D., Kizhaev S.S., Molchanov S.S., Astakhova A.P., Chernyaev A.V., Lipsanen H., Bougrov V.E. Electroluminescence of InAs/InAs(Sb)/InAsSbP LED heterostructures in the temperature range 4.2–300 K // Semiconductors - 2017, Vol. 51, No. 2, pp. 239-244 [IF: 0.602, SJR: 0.308]
    подробнее >>
  10. 47Mynbaev K.D., Shilyaev A.V., Semakova A.A., Bykhanova E.V., Bazhenov N.L. Luminescence of II–VI and III–V nanostructures // Opto-electronics Review - 2017, Vol. 25, No. 3, pp. 209-214 [IF: 1.449, SJR: 0.355]
    подробнее >>
  11. 46Semakova A.A., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Chernyaev A.V., Kizhaev S.S., Stoyanov N.D. Electroluminescence of InAsSb-based mid-infrared LEDs in 4.2–300 K temperature range // Journal of Physics: Conference Series - 2017, Vol. 917, No. 5, pp. 052005
    подробнее >>
  12. 45Shilyaev A.V., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Greshnov A.A. Effect of composition fluctuations on radiative recombination in narrow-gap semiconductor solid solutions // Technical Physics - 2017, Vol. 62, No. 3, pp. 441-448 [IF: 0.632, SJR: 0.356]
    подробнее >>
  13. 44Timoshkov A.O., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Yakushev M.V., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A. Photoluminescence of Hg0.5Cd0.5Te structures grown with molecular-beam epitaxy // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2017, Vol. 32, No. 1, pp. 88-93 [SJR: 0.214]
    подробнее >>
  14. 43Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Свёнтек З. Дефекты в имплантированных мышьяком р+–n и n+–p структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ // Известия высших учебных заведений. Физика - 2017. - Т. 60. - № 10. - С. 92-97 [IF: 0.233]
  15. 42Mynbaev K.D., Zablotsky S.V., Shilyaev A.V., Bazhenov N.L., Yakushev M.V., Marin D.V., Varavin V.S., Dvoretsky S.A. Defects in mercury-cadmium telluride heteroepitaxial structures grown by molecular-beam epitaxy on silicon substrates // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 2, pp. 208-211 [IF: 0.602, SJR: 0.308]
    подробнее >>
  16. 41Mynbaeva M.G., Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Sitnikova A.A., Pechnikov A.I., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Bugrov V.E., Lipsanen H., Romanov A.E. TEM study of defect structure of GaN epitaxial films grown on GaN/Al2O3 substrates with buried column pattern // Journal of Crystal Growth - 2016, Vol. 445, pp. 30-36 [IF: 1.462, SJR: 0.515]
    подробнее >>
  17. 40Mynbaeva M.G., Lavrent’Ev A.A., Mynbaev K.D. Formation of graphite/sic structures by the thermal decomposition of silicon carbide // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 1, pp. 138-142 [IF: 0.602, SJR: 0.308]
    подробнее >>
  18. 39Swiatek Z., Yakushev M.V., Izhnin I.I., Ozga P., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Marin D.V., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A., Voitsekhovski A.V., Savytskyy H.V., Bonchyk O. Electrical and optical studies of a tellurium-related defect in molecular-beam epitaxy-grown HgCdTe // Physica Status Solidi (c) Current Topics in Solid State Physics - 2016, Vol. 13, No. 7-9, pp. 461–464 [SJR: 0.28]
    подробнее >>
  19. 38Yakushev M.V., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Varavin V.S., Mikhailov N.N., Marin D.V., Dvoretsky S.A., Sidorov Y.G. Acceptor states in HgCdTe films grown by molecular-beam epitaxy on GaAs and Si substrates // Physica Status Solidi (c) Current Topics in Solid State Physics - 2016, Vol. 13, No. 7-9, pp. 469–472 [SJR: 0.28]
    подробнее >>
  20. 37Жумашев Н.К., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Стоянов Н.Д., Кижаев С.С., Гурина Т.И., Астахова А.П., Черняев А.В., Молчанов С.С., Липсанен Х., Салихов Х.М., Бугров В.Е. Спектральные характеристики светодиодов среднего инфракрасного диапазона на основе InAs(Sb,P) // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики - 2016. - Т. 16. - № 1(101). - С. 76-84 [IF: 0.28]
    подробнее >>
  21. 36Мынбаев К.Д., Заблоцкий С.В., Шиляев А.В., Баженов Н.Л., Якушев М.В., Марин Д.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А. Дефекты в гетероэпитаксиальных структурах теллуридов кадмия и ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из кремния // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 2. - С. 208-211 [IF: 0.745]
    подробнее >>
  22. 35Мынбаева М.Г., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д. Формирование структур графит/SiC методом термического разложения карбида кремния // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 1. - С. 138-142 [IF: 0.745]
    подробнее >>
  23. 34Свёнтек З., Озга П., Ижин Г.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В. Электрофизические и оптические исследования дефектной структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии пленок cdhgte // Известия высших учебных заведений. Физика - 2016. - Т. 59. - № 3. - С. 110-113 [IF: 0.233]
  24. 33Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Zegrya G.G. Temperature dependence of the carrier lifetime in Cd (x) Hg1-x Te narrow-gap solid solutions with consideration for Auger processes // Semiconductors - 2015, Vol. 49, No. 4, pp. 432-436 [IF: 0.602, SJR: 0.308]
    подробнее >>
  25. 32Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Zegrya G.G. Temperature dependence of the carrier lifetime in narrow-gap Cd xHg1–xTe solid solutions: Radiative recombination // Semiconductors - 2015, Vol. 49, No. 9, pp. 1170-1175 [IF: 0.602, SJR: 0.308]
    подробнее >>
  26. 31Izhnin I., Mynbaev K.D., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Bonchyk A.Y., Savytskyy H.V., Fitsych O.I. Long-term stability of electron concentration in HgCdTe-based p-n junctions fabricated with ion etching // Infrared Physics & Technology - 2015, Vol. 73, pp. 158-165 [IF: 1.55, SJR: 0.508]
    подробнее >>
  27. 30Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Pociask-Bialy M., Dvoretsky S.A. Background donor concentration in HgCdTe // Opto-electronics Review - 2015, Vol. 23, No. 3, pp. 200-207 [IF: 1.667, SJR: 0.355]
    подробнее >>
  28. 29Malyshev A.G., Jumashev N.K., Lukyanov G.N., Mynbaev K.D., Rassadina A.A. Application of a LED–photodiode optocouple for the study of human respiratory function // Journal of Physics: Conference Series - 2015, Vol. 643, pp. 012026 [SJR: 0.221]
    подробнее >>
  29. 28Mynbaev K.D., Shilyaev A.V., Bazhenov N.L., Izhnin A.I., Izhnin I.I., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Dvoretsky S.A. Acceptor states in heteroepitaxial CdHgTe films grown by molecular-beam epitaxy // Semiconductors - 2015, Vol. 49, No. 3, pp. 367-372 [IF: 0.602, SJR: 0.308]
    подробнее >>
  30. 27Shvaleva M.A., Shulga E., Kink I., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Romanov A.E. Na2SiO3 liquid glass-based phosphor material for white LEDs // Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science - 2015, Vol. 212, No. 12, pp. 2964-2967 [IF: 1.775, SJR: 0.545]
    подробнее >>
  31. 26Shvaleva M.A., Tuzova Y.V., Romanov A.E., Aseev V.A., Nikonorov N.V., Mynbaev K.D., Bugrov V.E. Optical and thermal properties of phosphors based on lead-silicate glass for high-power white LEDs // Technical Physics Letters - 2015, Vol. 41, No. 11, pp. 1041-1043 [IF: 0.771, SJR: 0.396]
    подробнее >>
  32. 25Zablotsky S.V., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Yakushev M.V., Marin D.V., Varavin V.S., Dvoretsky S.A. Acceptor states and carrier lifetime in heteroepitaxial HgCdTe-on-Si for mid-infrared photodetectors // Journal of Physics: Conference Series - 2015, Vol. 643, pp. 012004 [SJR: 0.221]
    подробнее >>
  33. 24Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Зегря Г.Г. Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах CdxHg1-xTe: учет излучательной рекомбинации // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 9. - С. 1206-1211 [IF: 0.745]
    подробнее >>
  34. 23Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Зегря Г.Г. Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах CdxHg1-xTe: учет оже-процессов // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 4. - С. 444-448 [IF: 0.745]
    подробнее >>
  35. 22Мынбаев К.Д., Шиляев А.В., Баженов Н.Л., Ижнин А.И., Ижнин И.И., Михайлов Н.Н., Варавин В.С., Дворецкий С.А. Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно–лучевой эпитаксией // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 3. - С. 379-384 [IF: 0.745]
    подробнее >>
  36. 21Мынбаева М.Г., Печников А.И., Шарофидинов Ш.Ш., Бугров В.Е., Мынбаев К.Д., Степанов С.И., Одноблюдов М.А., Николаев В.И., Романов А.Е. Светоизлучающие p–n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3 [Light-Emitting P-N structures fabricated with hydride vapor-phase epitaxy on GaN/Al2O3 structured substrates] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015. - Т. 22. - № 1. - С. 30-38 [SJR: 0.214]
    подробнее >>
  37. 20Перетягин В.С., Подосинников А.И., Романова Г.Э., Щеглов С.А., Мынбаев К.Д., Липсанен Х., Бугров В.Е. Моделирование и исследование краевого эффекта при работе с трехкристальными RGB-светодиодами // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики - 2015. - Т. 15. - № 2(96). - С. 202-210 [IF: 0.28]
    подробнее >>
  38. 19Швалева М.А., Тузова Ю.В., Романов А.Е., Асеев В.А., Никоноров Н.В., Мынбаев К.Д., Бугров В.Е. Оптические и термические свойства люминофоров на основе свинцово-силикатного стекла для мощных белых светодиодов // Письма в Журнал технической физики - 2015. - Т. 41. - № 21. - С. 38-44 [IF: 0.599]
    подробнее >>
  39. 18Izhnin I.I., Dvoretsky S.A., Mynbaev K.D., Fitsych O.I., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Pociask-Bialy M., Voitsekhovskii A.V., Sheregii E. Defect study in molecular beam epitaxy-grown HgCdTe films with activated and unactivated arsenic // Journal of Applied Physics - 2014, Vol. 115, No. 16, pp. 163501 [IF: 2.068, SJR: 0.746]
    подробнее >>
  40. 17Lipnitskaya S.N., Mynbaev K.D., Nikulina L., Kramnik V., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E. Investigation of light extraction from light emitting module chip-on-board // Optical Review - 2014, Vol. 21, No. 5, pp. 655-658 [IF: 0.6, SJR: 0.312]
    подробнее >>
  41. 16Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Yakushev M.V., Marin D.V., Varavin V.S., Sidorov Y.G., Dvoretsky S.A. Defects in heteroepitaxial CdHgTe/Si layers and their behavior under conditions of implanted p+-n photodiode structure formation // Technical Physics Letters - 2014, Vol. 40, No. 8, pp. 708-711 [IF: 0.771, SJR: 0.396]
    подробнее >>
  42. 15Mynbaev K.D., Shilyaev A.V., Bazhenov N.L., Izhnin A.I., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Dvoretsky S.A. Light emission from CdHgTe-based nanostructures // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2014, Vol. 21, No. 2, pp. 112-118 [SJR: 0.214]
    подробнее >>
  43. 14Mynbaeva M.G., Golovatenko A.A., Pechnikov A.I., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I. Specific Features of the Hydride Vapor-Phase Epitaxy of Nitride Materials on a Silicon Substrate // Semiconductors - 2014, Vol. 48, No. 11, pp. 1535-1538 [IF: 0.602, SJR: 0.308]
    подробнее >>
  44. 13Mynbaeva M.G., Lebedev S.P., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Golovatenko A.A., Lebedev A.A., Nikolaev V.I. On the self-structuring of single-crystal silicon wafers under inductive heating in vacuum // Semiconductors - 2014, Vol. 48, No. 3, pp. 350-353 [IF: 0.602, SJR: 0.308]
    подробнее >>
  45. 12Shvaleva M.A., Nikulina L.A., Aseev V.A., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikonorov N.V., Romanov A.E. Ce3+: YAG Doped Glass-Ceramics For White Light-Emitting Diode // Optical Review - 2014, Vol. 21, No. 5, pp. 683-686 [IF: 0.6, SJR: 0.312]
    подробнее >>
  46. 11Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Никулина Л.А., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е. Исследование вывода света из светодиодного модуля "CHIP-ON-BOARD" // Ученые записки физического факультета МГУ - 2014. - № 2. - С. 142402(1-5)
    подробнее >>
  47. 10Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Якушев М.В., Марин Д.В., Варавин В.С., Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А. Дефекты в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe/Si и их поведение в условиях формирования имплантационных «p+–n» фотодиодных структур // Письма в Журнал технической физики - 2014. - Т. 40. - № 16. - С. 65-72 [IF: 0.599]
    подробнее >>
  48. 9Мынбаева М.Г., Головатенко А.А., Печников А.И., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Николаев В.И. Особенности хлорид-гидридной эпитаксии нитридных материалов на подложке кремния // Физика и техника полупроводников - 2014. - Т. 48. - № 11. - С. 1573-1577 [IF: 0.745]
    подробнее >>
  49. 8Мынбаева М.Г., Лебедев С.П., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Головатенко А.А., Лебедев А.А., Николаев В.И. Эффект самоструктурирования пластин монокристаллического кремния в условиях индукционного нагрева в вакууме // Физика и техника полупроводников - 2014. - Т. 48. - № 3. - С. 364-368 [IF: 0.745]
    подробнее >>
  50. 7Мынбаева М.Г., Лебедев С.П., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Николаев В.И. Безмасочное структурирование поверхности кремниевых подложек для нитридной эпитаксии // Ученые записки физического факультета МГУ - 2014. - № 2. - С. 142502(1-4)
    подробнее >>
  51. 6Фудин М.С., Мынбаев К.Д., Липсанен Х., Айфантис К., Бугров В.Е., Романов А.Е. Частотные характеристики современных светодиодных люминофорных материалов // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики - 2014. - № 6(94). - С. 71-76 [IF: 0.28]
    подробнее >>
  52. 5Vinogradova K.A., Lipnitskaya S.N., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikolaev V.I., Romanov A.E. Оптимизация вывода света из мощных светодиодных сборок "чип на плате", излучающих в ультрафиолетовом диапазоне длин волн [Optimization of light extraction from power led chip-on-board modules emitting in ultraviolet range of spectrum] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2013, Vol. 17, No. 2, pp. 111-120 [SJR: 0.214]
    подробнее >>
  53. 4Vinogradova K.A., Nikulina L.A., Braslavskii S.S., Solovieva E.A., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Romanov A.E., Bugrov V.E. Temperature stability of colored LED elements // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2013, Vol. 18, No. 2, pp. 143–147 [SJR: 0.214]
  54. 3Vinogradova K.A., Nikulina L.A., Mynbaev K.D., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikolaev V.I., Bougrov V.E. Сравнение эффективности светодиодных излучателей на основе монохромных чипов и чипов с люминофором [Efficiency comparison of light emitting diodes based on monochromatic chips and chips with phosphor] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2013. - Т. 18. - № 2. - С. 135-142 [SJR: 0.214]
    подробнее >>
  55. 2Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е. Влияние светорассеяния в оптических покрытиях на потери энергии в светодиодных устройствах // Письма в Журнал технической физики - 2013. - Т. 39. - № 24. - С. 1-8 [IF: 0.599]
    подробнее >>
  56. 1Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Никулина Л.А., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е. Повышение эффективности вывода света из светодиодных модулей "CHIP-ON-BOARD" // Оптический журнал - 2013. - Т. 80. - № 12. - С. 45-52
    подробнее >>