en

Сотрудник подразделения

Публикации

  1. 32Nastulyavichus A.A., Kudryashov S.I., Smirnov N.A., Rudenko A.A., Kharin A.Y., Busleev N.I., Zayarnyi D.A., Ionin A.A., Kirilenko D.A., Brunkov P.N. Novel approach of controllable stoichiometric fabrication of alloyed Au/Ag nanoparticles by nanosecond laser ablation of thin bi-layered films in water // Laser Physics Letters - 2019, Vol. 16, No. 9, pp. 096002 [IF: 2.537, SJR: 0.59]
    подробнее >>
  2. 31Prasolov N.D., Ermakov I.A., Gutkin A.A., Solov’Ev V.A., Dorogin L.M., Konnikov S.G., Brunkov P.N. The Study of Nanoindentation of Atomically Flat GaAs Surface using the Tip of Atomic-Force Microscope // Semiconductors - 2019, Vol. 53, No. 16, pp. 2110-2114 [IF: 0.602, SJR: 0.287]
    подробнее >>
  3. 30Prasolov N.D., Gutkin A.A., Brunkov P.N. Molecular dynamics study of As dimer formation on the GaAs (001) As-rich surface // Journal of Physics: Conference Series - 2019, Vol. 1410, No. 1, pp. 012225 [SJR: 0.21]
    подробнее >>
  4. 29Prasolov N.D., Gutkin A.A., Brunkov P.N. Molecular-Dynamics Simulation of the Low-Temperature Surface Reconstruction of a GaAs(001) Surface during the Nanoindentation Process // Semiconductors - 2019, Vol. 53, No. 10, pp. 1386-1388 [IF: 0.602, SJR: 0.287]
    подробнее >>
  5. 28Bourauleuv A.D., Ilkiv I., Reznik R.R., Kotlyar K.P., Soshnikov I., Cirlin G.E., Brunkov P.N., Kirilenko D.A., Bondarenko L.V., Nepomniaschiy A., Gruznev D.V., Zotov A.V., Saranin A.A., Dhaka V., Lipsanen H. New method for MBE growth of GaAs nanowires on silicon using colloidal Au nanoparticles // Nanotechnology - 2018, Vol. 29, No. 4, pp. 045602 [IF: 3.44, SJR: 0.926]
    подробнее >>
  6. 27Karpov S.Y., Zakgeim D.A., Lundin W.V., Sakharov A.V., Zavarin E.E., Brunkov P.N., Lundina E.Y., Tsatsul’Nikov A.F. Barrier height modification and mechanism of carrier transport in Ni/in situ grown Si3N4/n-GaN Schottky contacts // Semiconductor Science and Technology - 2018, Vol. 33, No. 2, pp. 025009 [IF: 2.305, SJR: 0.712]
    подробнее >>
  7. 26Kudryashov S.I., Nguyen L.V., Kirilenko D.A., Brunkov P.N., Rudenko A.A., Busleev N.I., Shakhmin A.L., Semencha A.V., Khmelnitsky R.A., Melnik N.N., Saraeva I.N., Nastulyavichus A.A., Ionin A.A., Tolordava E.R., Romanova Y.M. Large-Scale Laser Fabrication of Antifouling Silicon-Surface Nanosheet Arrays via Nanoplasmonic Ablative Self-Organization in Liquid CS2 Tracked by a Sulfur Dopant // ACS Applied Nano Materials - 2018, Vol. 1, No. 6, pp. 2461-2468 [SJR: 1.227]
    подробнее >>
  8. 25Kurdukov D.A., Eurov D.A., Rabchinskii M.K., Shvidchenko A.V., Baidakova M.V., Kirilenko D.A., Koniakhin S.V., Shnitov V.V., Sokolov V.V., Brunkov P.N., Dideikin A.T., Sgibnev Y.M., Mironov L.Y., Smirnov D.A., Vul' A.Y., Golubev V.G. Controllable spherical aggregation of monodisperse carbon nanodots // Nanoscale - 2018, Vol. 10, No. 27, pp. 13223-13225 [IF: 7.367, SJR: 2.038]
    подробнее >>
  9. 24Rabchinskii M.K., Dideikin A.T., Kirilenko D.A., Baidakova M.V., Shnitov V.V., Roth F., Konyakhin S.V., Besedina N.A., Pavlov S.I., Kuricyn R.A., Lebedeva N.M., Brunkov P.N., Vul’ A.Y. Facile reduction of graphene oxide suspensions and films using glass wafers // Scientific Reports - 2018, Vol. 8, pp. 14154 [IF: 4.259, SJR: 1.24]
    подробнее >>
  10. 23Zakheim D.A., Lundin W.V., Sakharov A.V., Zavarin E.E., Brunkov P.N., Lundina E.Y., Tsatsulnikov A.F., Karpov S.Y. Dependence of leakage current in Ni/Si3N4/n-GaN Schottky diodes on deposition conditions of silicon nitride // Semiconductor Science and Technology - 2018, Vol. 33, No. 11, pp. 115008 [IF: 2.305, SJR: 0.712]
    подробнее >>
  11. 22Brylevskiy V., Smirnova I., Gutkin A., Brunkov P.N., Rodin P., Grekhov I. Delayed avalanche breakdown of high-voltage silicon diodes: Various structures exhibit different picosecond-range switching behavior // Journal of Applied Physics - 2017, Vol. 122, No. 18, pp. 185701 [IF: 2.068, SJR: 0.699]
    подробнее >>
  12. 21Dideikin A.T., Aleksenskii A.E., Baidakova M.V., Brunkov P.N., Brzhezinskaya M., Davydov V.Y., Levitskii V.S., Kidalov S.V., Kukushkina Y.A., Kirilenko D.A., Shnitov V.V., Shvidchenko A.V., Senkovskiy B., Shestakov M.S., Vul' A.Y. Rehybridization of carbon on facets of detonation diamond nanocrystals and forming hydrosols of individual particles // Carbon - 2017, Vol. 122, pp. 737-745 [IF: 6.337, SJR: 2.25]
    подробнее >>
  13. 20Prasolov N.D., Brunkov P.N., Gutkin A.A. Molecular dynamics simulations of GaAs-crystal surface modifications during nanoindentation with AFM tip // Journal of Physics: Conference Series - 2017, Vol. 917, No. 9, pp. 092018 [SJR: 0.21]
    подробнее >>
  14. 19Sankova Т.Р., Orlov I.A., Saveliev A.N., Kirilenko D.A., Babich P.S., Brunkov P.N., Puchkova L.V. The Extracellular Domain of Human High Affinity Copper Transporter (hNdCTR1), Synthesized by E. coli Cells, Chelates Silver and Copper Ions In Vivo // Biomolecules - 2017, Vol. 7, No. 4, pp. 78 [SJR: 1.125]
    подробнее >>
  15. 18Kirilenko D.A., Brunkov P.N. Measuring the height-to-height correlation function of corrugation in suspended graphene // Ultramicroscopy - 2016, Vol. 165, pp. 1-7 [IF: 2.843, SJR: 1.29]
    подробнее >>
  16. 17Lundin W.V., Sakharov A.V., Zavarin E.E., Kazantsev D.Y., Ber B.Y., Yagovkina M.A., Brunkov P.N., Tsatsul?Nikov A.F. Study of GaN doping with carbon from propane in a wide range of MOVPE conditions // Journal of Crystal Growth - 2016, Vol. 449, pp. 108-113 [IF: 1.751, SJR: 0.513]
    подробнее >>
  17. 16Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.I., Sharofidinov S.S., Golovatenko A.A., Nikitina I.P., Smirnov A.N., Bugrov V.E., Romanov A.E., Brunkov P.N., Kirilenko D.A. Chloride epitaxy of beta-Ga2O3 layers grown on c-sapphire substrates // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 7, pp. 980-983 [IF: 0.602, SJR: 0.287]
    подробнее >>
  18. 15Orlov Y.A., Sankova Т.Р., Babich P.S., Sosnin I.M., Ilyechova E.Y., Kirilenko D.A., Brunkov P.N., Ataev G.L., Romanov A.E., Puchkova L.V. New silver nanoparticles induce apoptosis-like process in E. coli and interfere with mammalian copper metabolism // International Journal of Nanomedicine - 2016, Vol. 11, pp. 6561–6574 [IF: 4.3, SJR: 1.245]
    подробнее >>
  19. 14Rabchinskii M.K., Dideikin A.T., Baidakova M.V., Shnitov V.V., Pronin I.I., Kirilenko D.A., Brunkov P.N., Walter J., Molodtsov S.L. Reduction of the graphene oxide films by soft UV irradiation // International Conference Laser Optics, LO 2016 - 2016, pp. R107
    подробнее >>
  20. 13Rasulova G.K., Pentin I.V., Brunkov P.N., Egorov A.Y. Electric-field domain boundary instability in weakly coupled semiconductor superlattices // Journal of Applied Physics - 2016, Vol. 119, No. 20, pp. 204303 [IF: 2.068, SJR: 0.699]
    подробнее >>
  21. 12Блохин С.А., Бобров М.А., Кузьменков А.Г., Блохин А.А., Васильев А.П., Гусева Ю.А., Кулагина М.М., Карповский И.О., Задиранов Ю.М., Трошков С.И., Прасолов Н.Д., Брунков П.Н., Левицкий В.С., Лисак В., Малеев Н.А., Устинов В.М. Исследования диэлектрических распределенных брэгговских отражателей для вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона // Письма в Журнал технической физики - 2016. - Т. 42. - № 20. - С. 57-65 [IF: 0.599]
    подробнее >>
  22. 11Николаев В.И., Печников А.И., Степанов С.И., Шарофидинов Ш.Ш., Головатенко А.А., Никитина И.П., Смирнов А.Н., Бугров В.Е., Романов А.Е., Брунков П.Н., Кириленко Д.А. Хлоридная эпитаксия слоев beta-Ga2O3 на сапфировых подложках базисной ориентации // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 7. - С. 997-1000 [IF: 0.745]
    подробнее >>
  23. 10Baklanov A.V., Gutkin A.A., Kalyuzhnyy N.A., Brunkov P.N. Effect of the interaction conditions of the probe of an atomic-force microscope with the n-GaAs surface on the triboelectrization phenomenon // Semiconductors - 2015, Vol. 49, No. 8, pp. 1057-1061 [IF: 0.602, SJR: 0.287]
    подробнее >>
  24. 9Kaliteevski M.A., Lazarenko A.A., Il'Inskaya N.D., Zadiranov Y.M., Sasin M.E., Zaitsev D.A., Mazlin V.A., Brunkov P.N., Pavlov S.I., Egorov A.Y. Experimental demonstration of reduced light absorption by intracavity metallic layers in Tamm plasmon-based microcavity // Plasmonics - 2015, Vol. 10, No. 2, pp. 281-284 [IF: 2.139, SJR: 0.526]
    подробнее >>
  25. 8Rozhavskaya M.M., Lundin W.V., Lundina E.Y., Davydov V.Y., Troshkov S.I., Vasilyev A.A., Brunkov P.N., Tsatsulnikov A.F., Dubrovskii V.G. Gallium nitride nanowires and microwires with exceptional length grown by metal organic chemical vapor deposition via titanium film // Journal of Applied Physics - 2015, Vol. 117, No. 2, pp. 024301 [IF: 2.068, SJR: 0.699]
    подробнее >>
  26. 7Sachenko A.V., Belyaev A.E., Boltovets N.S., Brunkov P.N., Jmerik V.N., Ivanov S.V., Kapitanchuk L.M., Konakova R.V., Klad’Ko V.P., Romanets P.N., Saja P.O., Safryuk N.V., Sheremet V.N. Temperature dependences of the contact resistivity in ohmic contacts to n +-InN // Semiconductors - 2015, Vol. 49, No. 4, pp. 461-471 [IF: 0.602, SJR: 0.287]
    подробнее >>
  27. 6Salii R.A., Mintairov S.A., Brunkov P.N., Nadtochiy A.M., Payusov A.S., Kalyuzhnyy N.A. Determination of the technological growth parameters in the InAs-GaAs system for the MOCVD synthesis of “Multimodal” InAs QDs // Semiconductors - 2015, Vol. 49, No. 8, pp. 1111-1118 [IF: 0.602, SJR: 0.287]
    подробнее >>
  28. 5Салий Р.А., Минтаиров С.А., Брунков П.Н., Надточий А.М., Паюсов А.С., Калюжный Н.А. Определение технологических параметров роста в системе InAs-GaAs для синтеза "многомодальных" квантовых точек InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 8. - С. 1136-1143 [IF: 0.745]
    подробнее >>
  29. 4Сасин М.Е., Ильинская Н.Д., Задиранов Ю.М., Калитеевская Н.А., Лазаренко А.А., Мазлин В.А., Брунков П.Н., Павлов С.И., Калитеевский М.А. Цилиндрические многослойные металлодиэлектрические структуры // Письма в Журнал технической физики - 2015. - Т. 41. - № 22. - С. 61-65 [IF: 0.599]
    подробнее >>
  30. 3Саченко А.В., Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Брунков П.Н., Жмерик В.Н., Иванов С.В., Капитанчук Л.М., Конакова Р.В., Кладько В.П., Романец П.Н., Сай П.О., Сафрюк Н.В., Шеремет В.Н. Температурные зависимости удельного контактного сопротивления в омических контактах к n+-InN // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 4. - С. 472-482 [IF: 0.745]
    подробнее >>
  31. 2Bourauleuv A.D., Sibirev N.V., Gilstein E.P., Brunkov P.N., Mukhin I.S., Tchernycheva M., Khrebtov A.I., Samsonenko Y.B., Cirlin G.E. Study of the electrical properties of individual (Ga, Mn)As nanowires // Semiconductors - 2014, Vol. 48, No. 3, pp. 344-349 [IF: 0.602, SJR: 0.287]
    подробнее >>
  32. 1Brunkov P.N., Il’Inskaya N.D., Karandashev S.A., Latnikova N.M., Lavrov A.A., Matveev B.A., Petrov A.S., Remennyi M.A., Sevostyanov E.N., Stus N.M. P-InAsSbP/n0-InAs/n+-InAs photodiodes for operation at moderate cooling (150-220K) // Физика и техника полупроводников - 2014, Vol. 48, No. 10, pp. 1394-1397 [IF: 0.745]
    подробнее >>