en

Сотрудник подразделения

Публикации

  1. 9Kukushkin S.A., Sharofidinov S.S., Osipov A.V., Redkov A.V., Kidalov V.V., Grashchenko A.S., Soshnikov I.P., Dyadenchuk A.F. Erratum: The mechanism of growth of GaN films by the HVPE method on SiC synthesized by the substitution of atoms on porous Si substrates (ECS Journal of Solid State Science and Technology (2018) 7 (P480) DOI: 10.1149/2.0191809jss) // ECS Journal of Solid State Science and Technology - 2019, Vol. 8, No. 4, pp. X1 [IF: 1.787, SJR: 0.562]
    подробнее >>
  2. 8Sharofidinov S.S., Kukushkin S.A., Red’Kov A.V., Grashchenko A.S., Osipov A.V. Growing III–V Semiconductor Heterostructures on SiC/Si Substrates // Technical Physics Letters - 2019, Vol. 45, No. 7, pp. 711-713 [IF: 0.771, SJR: 0.396]
    подробнее >>
  3. 7Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.I., Nikitina I.P., Smirnov A.N., Chikiryaka A.V., Sharofidinov S.S., Bougrov V.E., Romanov A.E. Epitaxial growth of (2-01) Beta-Ga2O3 on (0001) sapphire substrates by halide vapour phase epitaxy // Materials Science in Semiconductor Processing - 2016, Vol. 47, pp. 16-19 [IF: 2.264, SJR: 0.633]
    подробнее >>
  4. 6Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.I., Sharofidinov S.S., Golovatenko A.A., Nikitina I.P., Smirnov A.N., Bugrov V.E., Romanov A.E., Brunkov P.N., Kirilenko D.A. Chloride epitaxy of beta-Ga2O3 layers grown on c-sapphire substrates // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 7, pp. 980-983 [IF: 0.602, SJR: 0.308]
    подробнее >>
  5. 5Sharofidinov S.S., Nikolaev V.I., Smirnov A.N., Chikiryaka A.V., Nikitina I.P., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Romanov A.E. On a reduction in cracking upon the growth of AlN on Si substrates by hydride vapor-phase epitaxy // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 4, pp. 541-544 [IF: 0.602, SJR: 0.308]
    подробнее >>
  6. 4Николаев В.И., Печников А.И., Степанов С.И., Шарофидинов Ш.Ш., Головатенко А.А., Никитина И.П., Смирнов А.Н., Бугров В.Е., Романов А.Е., Брунков П.Н., Кириленко Д.А. Хлоридная эпитаксия слоев beta-Ga2O3 на сапфировых подложках базисной ориентации // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 7. - С. 997-1000 [IF: 0.745]
    подробнее >>
  7. 3Шарофидинов Ш.Ш., Николаев В.И., Смирнов А.Н., Чикиряка А.В., Никитина И.П., Одноблюдов М.А., Бугров В.Е., Романов А.Е. Снижение трещинообразования при росте ALN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 4. - С. 549-552 [IF: 0.745]
    подробнее >>
  8. 2Мынбаева М.Г., Печников А.И., Шарофидинов Ш.Ш., Бугров В.Е., Мынбаев К.Д., Степанов С.И., Одноблюдов М.А., Николаев В.И., Романов А.Е. Светоизлучающие p–n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3 [Light-Emitting P-N structures fabricated with hydride vapor-phase epitaxy on GaN/Al2O3 structured substrates] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015. - Т. 22. - № 1. - С. 30-38 [SJR: 0.214]
    подробнее >>
  9. 1Шарофидинов Ш.Ш., Головатенко А.А., Никитина И.П., Середова Н.В., Мынбаева М.Г., Бугров В.Е., Одноблюдов М.А., Степанов С.И., Николаев В.И. Толстые эпитаксиальные слои нитрида галлия на кремниевой подложке [Thick GaN layers on silicon substrate] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015. - Т. 22. - № 1. - С. 53-58 [SJR: 0.214]
    подробнее >>