Сотрудник подразделения

Харри Калеви Липсанен

доктор технических наук

Аалто университет, кафедра микро и нанонауки

Публикации

  1. 4Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Semakova A.A., Mikhailova M.P., Stoyanov N.D., Kizhaev S.S., Molchanov S.S., Astakhova A.P., Chernyaev A.V., Lipsanen H., Bougrov V.E. Electroluminescence of InAs/InAs(Sb)/InAsSbP LED heterostructures in the temperature range 4.2–300 K // Semiconductors - 2017, Vol. 51, No. 2, pp. 239-244 [IF: 0.701, SJR: 0.497]
    подробнее >>
  2. 3Polukhin I.S., Mikhailovskiy G.A., Rybalko D.A., Solov'Ev Y.V., Petukhov E.P., Odnoblyudov M.A., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Mikhailov A.K., Lipsanen H.K. Influence of absorber characteristics on operation regimes of passive mode locked lasers based on InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2016, Vol. 29, No. 1, pp. 71-75 [SJR: 0.203]
    подробнее >>
  3. 2Жумашев Н.К., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Стоянов Н.Д., Кижаев С.С., Гурина Т.И., Астахова А.П., Черняев А.В., Молчанов С.С., Липсанен Х.К., Салихов Х.М., Бугров В.Е. Спектральные характеристики светодиодов среднего инфракрасного диапазона на основе InAs(Sb,P) // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики - 2016. - Т. 16. - № 1(101). - С. 76-84 [IF: 0.28]
    подробнее >>
  4. 1Rudinsky M.E., Karpov S.I., Lipsanen H., Romanov A.E. Critical thickness and bow of pseudomorphic InxGa1-xAs-based laser heterostructures grown on (001)GaAs and (001)InP substrates // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015, Vol. 24, No. 3, pp. 278-283 [SJR: 0.203]
    подробнее >>