Сотрудник подразделения

Публикации

  1. 8Колесникова А.Л., Рожков М.А., Романов А.Е. О разрушении псевдографенов // Известия Российской академии наук. Механика твердого тела - 2020. - № 1. - С. 85-93
    подробнее >>
  2. 7Romanov A.E., Rozhkov M.A., Kolesnikova A. Disclinations in polycrystalline graphene and pseudo-graphenes. Review // Письма о материалах [Letters on Materials] - 2018, Vol. 8, No. 4, pp. 384-400 [SJR: 0.301]
    подробнее >>
  3. 6Rozhkov M.A., Kolesnikova A.L., Yasnikov I.S., Romanov A.E. Disclination ensembles in graphene // Low temperature physics - 2018, Vol. 44, No. 9, pp. 918-924 [IF: 0.804, SJR: 0.313]
    подробнее >>
  4. 5Rozhkov M.A., Kolesnikova A.L., Yasnikov I.S., Romanov A.E. Disclination ensembles in graphene // Физика низких температур [Fizika Nizkikh Temperatur] - 2018, Vol. 44, No. 9, pp. 1171-1179 [IF: 0.351, SJR: 0.196]
    подробнее >>
  5. 4Rozhkov M.A., Kolesnikova A.N., Hussainova I., Kaliteevskii M.A., Orlova T.S., Smirnov Y.Y., Yasnikov I.S., Zhigilei L.V., Bougrov V.E., Romanov A.E. Evolution of Dirac cone in disclinated graphene // Reviews on Advanced Materials Science - 2018, Vol. 57, No. 2, pp. 137-142 [IF: 2.5, SJR: 0.535]
    подробнее >>
  6. 3Kolesnikova A., Rozhkov M.A., Hussainova I., Orlova T.S., Yasnikov I.S., Zhigilei L.V., Romanov A.E. Structure and energy of intercrystallite boundaries in graphene // Reviews on Advanced Materials Science - 2017, Vol. 52, No. 1-2, pp. 91-98 [IF: 2.5, SJR: 0.535]
    подробнее >>
  7. 2Rozhkov M.A., Kolesnikova A.L., Orlova T.S., Zhigilei L.V., Romanov A.E. Disclinated rings as structural units in MD simulation of intercrystallite boundaries in graphene // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2016, Vol. 29, No. 1, pp. 101-105 [SJR: 0.214]
    подробнее >>
  8. 1Рожков М.А., Колодезный Е.С., Смирнов А.М., Бугров В.Е., Романов А.Е. Сравнение характеристик диодов Шоттки на основе бета-Ga2O3 и других широкозонных полупроводниковых материалов [Comparison of characteristics of schottky diodes based on бета-Ga2O3 and other wide bandgap semiconductors] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015. - Т. 24. - № 2. - С. 194-200 [SJR: 0.214]
    подробнее >>