en

Сотрудник подразделения

Публикации

  1. 6Lebedev S.P., Amel’Chuk D.G., Eliseev I.A., Barash I.S., Dementev P.A., Zubov A.V., Lebedev A.A. Surface morphology control of the SiC (0001) substrate during the graphene growth // Fullerenes Nanotubes and Carbon Nanostructures - 2020, Vol. 28, No. 4, pp. 281-285 [IF: 1.35, SJR: 0.355]
    подробнее >>
  2. 5Lebedev S.P., Barash I.S., Eliseyev I.A., Dementev P.A., Lebedev A.A., Bulat P.V. Investigation of the hydrogen etching effect of the SiC surface on the formation of graphene films // Technical Physics - 2019, Vol. 64, No. 12, pp. 1843-1849 [IF: 0.632, SJR: 0.297]
    подробнее >>
  3. 4Usikov A.S., Borodkin K.V., Novikov S., Roenkov A.D., Goriachkin A.A., Puzyk M.V., Barash I.S., Lebedev S.P., Zubov A.V., Makarov Y., Lebedev A.A. Graphene/SiC dies for electrochemical blood-type sensing // Proceedings of the Estonian Academy of Sciences - 2019, Vol. 68, No. 2, pp. 207-213 [IF: 0.737, SJR: 0.266]
    подробнее >>
  4. 3Usikov A.S., Puzyk M.V., Novikov S., Barash I.S., Medvedev O., Roenkov A.D., Goryachkin A., Lebedev S.P., Zubov A.V., Makarov Y.N., Lebedev A.A. Electrochemical Treatment of Graphene // Key Engineering Materials - 2019, Vol. 799, pp. 197-202 [SJR: 0.175]
    подробнее >>
  5. 2Kurin S.Y., Puzyk M.V., Ermakov I.A., Antipov A.A., Barash I.S., Roenkov A.D., Ratnikov V.V., Usikov A.S., Papchenko B.P., Helava H., Makarov Y.N., Chernyakov A.E. Optical transmission of strained GaN/sapphire structures // Journal of Physics: Conference Series - 2016, Vol. 741, No. 1, pp. 012048 [SJR: 0.21]
    подробнее >>
  6. 1Лебедев А.А., Белов С.В., Мынбаева М.Г., Стрельчук А.М., Богданова Е.В., Макаров Ю.Н., Усиков А.С., Курин С.Ю., Бараш И.С., Роенков А.Д., Козловский В.В. Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе n-GaN // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 10. - С. 1386-1388 [IF: 0.745]
    подробнее >>