Сотрудник подразделения

Харри Калеви Липсанен

PhD, физико-математические науки

Публикации

  1. 13Berdnikov Y.S., Sibirev N. V. ., Khayrudinov V., Alaferdov A., Moshkalev S., Ubyivovk E., Lipsanen H., Bouravleuv A. Growth of GaAs Nanowire–Graphite Nanoplatelet Hybrid Structures // CrystEngComm - 2019, Vol. 21, No. 41, pp. 6165-6172 [IF: 3.474, SJR: 0.937]
    подробнее >>
  2. 12Borodin B.R., Alekseev P.A., Dunaevskiy M.S., Khayrudinov V., Lipsanen H. Analysis of doping distribution in horizontal GaAs nanowires with axial p-n junction by the conductive atomic force microscopy // Journal of Physics: Conference Series - 2019, Vol. 1410, No. 1, pp. 012228 [SJR: 0.221]
    подробнее >>
  3. 11Seppanen H., Kim I., Etula J., Ubyivovk E.V., Bouravleuv A., Lipsanen H. Aluminum nitride transition layer for power electronics applications grown by plasma-enhanced atomic layer deposition // Materials - 2019, Vol. 12, No. 3, pp. 406 [IF: 2.654, SJR: 0.686]
    подробнее >>
  4. 10Mynbaeva M.G., Shirshnev P.S., Kremleva A.V., Smirnov A.N., Ivanova E.V., Zamoryanskaya M.V., Nikitina I.P., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Odnoblyudov M.A., Bauman D.A., Lipsanen H., Nikolaev V.I., Bougrov V.E., Romanov A.E. Optical properties of bulk gallium oxide grown from the melt // Reviews on Advanced Materials Science - 2018, Vol. 57, No. 1, pp. 97-103 [IF: 2.5, SJR: 0.535]
    подробнее >>
  5. 9Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Semakova A.A., Chernyaev A.V., Kizhaev S.S., Stoyanov N.D., Bougrov V.E., Lipsanen H.K., Salikhov K. Spontaneous and stimulated emission in InAsSb-based LED heterostructures // Infrared Physics and Technology - 2017, Vol. 85, pp. 246-250 [IF: 1.713, SJR: 0.508]
    подробнее >>
  6. 8Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Semakova A.A., Mikhailova M.P., Stoyanov N.D., Kizhaev S.S., Molchanov S.S., Astakhova A.P., Chernyaev A.V., Lipsanen H., Bougrov V.E. Electroluminescence of InAs/InAs(Sb)/InAsSbP LED heterostructures in the temperature range 4.2–300 K // Semiconductors - 2017, Vol. 51, No. 2, pp. 239-244 [IF: 0.602, SJR: 0.308]
    подробнее >>
  7. 7Mynbaeva M.G., Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Sitnikova A.A., Pechnikov A.I., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Bugrov V.E., Lipsanen H., Romanov A.E. TEM study of defect structure of GaN epitaxial films grown on GaN/Al2O3 substrates with buried column pattern // Journal of Crystal Growth - 2016, Vol. 445, pp. 30-36 [IF: 1.462, SJR: 0.515]
    подробнее >>
  8. 6Polukhin I.S., Mikhailovskiy G.A., Rybalko D.A., Solov'Ev Y.V., Petukhov E.P., Odnoblyudov M.A., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Mikhailov A.K., Lipsanen H.K. Influence of absorber characteristics on operation regimes of passive mode locked lasers based on InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2016, Vol. 29, No. 1, pp. 71-75 [SJR: 0.214]
    подробнее >>
  9. 5Жумашев Н.К., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Стоянов Н.Д., Кижаев С.С., Гурина Т.И., Астахова А.П., Черняев А.В., Молчанов С.С., Липсанен Х., Салихов Х.М., Бугров В.Е. Спектральные характеристики светодиодов среднего инфракрасного диапазона на основе InAs(Sb,P) // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики - 2016. - Т. 16. - № 1(101). - С. 76-84 [IF: 0.28]
    подробнее >>
  10. 4Rudinsky M.E., Karpov S.I., Lipsanen H., Romanov A.E. Critical thickness and bow of pseudomorphic InxGa1-xAs-based laser heterostructures grown on (001)GaAs and (001)InP substrates // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015, Vol. 24, No. 3, pp. 278-283 [SJR: 0.214]
    подробнее >>
  11. 3Перетягин В.С., Подосинников А.И., Романова Г.Э., Щеглов С.А., Мынбаев К.Д., Липсанен Х., Бугров В.Е. Моделирование и исследование краевого эффекта при работе с трехкристальными RGB-светодиодами // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики - 2015. - Т. 15. - № 2(96). - С. 202-210 [IF: 0.28]
    подробнее >>
  12. 2Фудин М.С., Мынбаев К.Д., Липсанен Х., Айфантис К., Бугров В.Е., Романов А.Е. Частотные характеристики современных светодиодных люминофорных материалов // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики - 2014. - № 6(94). - С. 71-76 [IF: 0.28]
    подробнее >>
  13. 1Bouravleuv A.D., Cirlin G.E., Sapega V.F., Werner P.E., Savin A., Lipsanen H.K. Ferromagnetic (Ga,Mn)As nanowires grown by Mn-assisted molecular beam epitaxy // Journal of Applied Physics - 2013, Vol. 113, No. 14, pp. 144303 [IF: 2.068, SJR: 0.746]
    подробнее >>