en

Сотрудник подразделения

Публикации

  1. 5Usikov A.S., Borodkin K.V., Novikov S., Roenkov A.D., Goriachkin A.A., Puzyk M.V., Barash I.S., Lebedev S.P., Zubov A.V., Makarov Y., Lebedev A.A. Graphene/SiC dies for electrochemical blood-type sensing // Proceedings of the Estonian Academy of Sciences - 2019, Vol. 68, No. 2, pp. 207-213 [IF: 0.737, SJR: 0.266]
    подробнее >>
  2. 4Usikov A.S., Puzyk M.V., Novikov S., Barash I.S., Medvedev O., Roenkov A.D., Goryachkin A., Lebedev S.P., Zubov A.V., Makarov Y.N., Lebedev A.A. Electrochemical Treatment of Graphene // Key Engineering Materials - 2019, Vol. 799, pp. 197-202 [SJR: 0.175]
    подробнее >>
  3. 3Kurin S.Y., Puzyk M.V., Ermakov I.A., Antipov A.A., Barash I.S., Roenkov A.D., Ratnikov V.V., Usikov A.S., Papchenko B.P., Helava H., Makarov Y.N., Chernyakov A.E. Optical transmission of strained GaN/sapphire structures // Journal of Physics: Conference Series - 2016, Vol. 741, No. 1, pp. 012048 [SJR: 0.21]
    подробнее >>
  4. 2Lebedev A.A., Belov S.V., Mynbaeva M.G., Strel’Chuk A.M., Bogdanova E.V., Makarov Y.N., Usikov A.S., Kurin S.Y., Barash I.S., Roenkov A.D., Kozlovski V.V. 15 eV protons irradiation of the GaN Schottky Diodes // Materials Science Forum - 2016, Vol. 858, pp. 1186-1189 [SJR: 0.192]
    подробнее >>
  5. 1Лебедев А.А., Белов С.В., Мынбаева М.Г., Стрельчук А.М., Богданова Е.В., Макаров Ю.Н., Усиков А.С., Курин С.Ю., Бараш И.С., Роенков А.Д., Козловский В.В. Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе n-GaN // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 10. - С. 1386-1388 [IF: 0.745]
    подробнее >>