Научно-исследовательский центр перспективных функциональных материалов и лазерных коммуникационных систем

Материал Ga₂O₃ интересен для УФ-приложений, поскольку является широкозонным полупроводником (4.6−4.7 эВ) с достаточной проводимостью, чтобы говорить о создании на его основе приборов вертикальной геометрии, способных обеспечить наибольшую энергоэффективность. Кроме того оксид галлия как проводящий прозрачный материал в перспективе может решить не только задачу проводящей подложки, но и заместить в конструкции светодиодного чипа другие оксиды, используемые в качестве прозрачных контактов для эффективного вывода света из светодиодных чипов.

Группа исследователей во главе с к.ф.-м.н. Николаевым В.И. занимается разработкой технологических процессов в области роста монокристаллов оксида галлия beta-Ga₂O₃; выяснением закономерностей роста и исследованием свойств выращенных монокристаллов.

Выращенный монокристалл оксида галлия beta-Ga₂O₃

Пластина beta-Ga₂O₃                                                                          

_{Прозрачность пластин beta-Ga2O3}