Общая информация

Международная  лаборатория физики эпитаксиальных наноструктур представляет собою самостоятельное структурное подразделение в составе НИУ ИТМО. Коллектив лаборатории объединяет группу проф. В.Г. Дубровского (российский со-руководитель), занимающую лидирующие позиции в мире в области моделирования наноструктур, и ведущих иностранных специалистов по физике полупроводниковых наноструктур и их применениям в фотонных и оптических технологиях из CNRS LPN, Université Paris Sud, Université Blaise Pascal (все - Франция), Durham University (Великобритания) и McMaster University (Канада).

Главной задачей лаборатории является исследование процессов синтеза и свойств принципиально новых эпитаксиальных полупроводниковых наноструктур, в частности, о нитевидных нанокристаллах и квантовых точках полупроводниковых соединений III-V и высококачественных слоях карбида кремния на Si, где авторам принадлежит мировой приоритет. Данные наноструктуры позволяют интегрировать оптические устройства с кремниевой электронной платформой и радикально улучшить характеристики приборов персональной электроники.

В лаборатории проводятся исследования по четырем основным направлениям:

1) Моделирование процессов формирования наноструктур на основе обобщенной теории нуклеации.

2) Моделирование эпитаксиального роста, кристаллической структуры и физических свойств полупроводниковых нитевидных нанокристаллов.

3) Эпитаксиальный синтез, исследование свойств и создание функциональных наноматериалов на основе III-V нитевидных нанокристаллов (оптические гетероструктуры, сенсоры и т.д.)

4) Развитие новой методики выращивания буферных слоев SiC на кремнии Si и создание приборных структур на их основе.